IGBT，是由BJT雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管MOS組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。
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IGBT驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低，是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q電力電子裝置的“CPU”，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。
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IGBT模塊的應(yīng)用決定了其不僅要有極高的可靠性，且要有較長的使用壽命。
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IGBT在實(shí)現(xiàn)電流切換的過程中，會(huì)產(chǎn)生較大的功率損耗，因此“散熱”是影響其可靠性的重要因素。而芯片焊接處和基片焊接處等位置，是IGBT主要的熱量傳輸通道，焊接處的焊接質(zhì)量影響了IGBT的可靠性和壽命。
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研究表明，焊料層內(nèi)出現(xiàn)空洞時(shí)，芯片結(jié)溫隨之增加，且芯片結(jié)溫與焊料層空洞率幾乎成正比。從而影響熱循環(huán)，造成局部溫度過高，降低模塊使用壽命。器件的工作溫度每升高10℃，其失效率將增大一倍左右。
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因此，IBGT封裝，最重要的是降低焊料層的空洞率。
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中實(shí)研發(fā)IGBT預(yù)成型焊片
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國內(nèi)首創(chuàng)
> IGBT?八元合金焊片
產(chǎn)品特點(diǎn)：
-滿足新能源汽車高可靠性、超長壽命需求
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-更長的產(chǎn)品生命周期性
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> IGBT 加強(qiáng)型等高焊片
產(chǎn)品特點(diǎn)：
-?高強(qiáng)度
-?應(yīng)力分布均勻
-?焊接層均勻、焊接高度可控
-?低空洞率
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空洞率對比
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實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)
以下為對比實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，可以看到中實(shí)IGBT預(yù)成型焊片，有效降低了焊接空洞率，且產(chǎn)品穩(wěn)定性表現(xiàn)更佳。
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目前，中實(shí)IGBT預(yù)成型焊片已穩(wěn)定供貨于各大半導(dǎo)體企業(yè)、新能源汽車企業(yè)等。
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